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IC37首页非IC电子元器件场效应管增强型MOS管(N沟道)

供应商信息

公 司 名 :深圳市群方电子有限公司(销售六部)
联 系 人 :陈小姐
电话:
086-0755-23064539-83722630-81758040-28197007
传真:0755-28199449
Email:2355819022@qq.com
QQ:2355819022 2355819028 1654001497 895006106
所在地区:广东省 深圳

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NCE65R540

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标  题:NCE65R540
发货地点: 广东省 深圳
产品类别: 增强型MOS管(N沟道)
更新时间:2018-2-2 17:29:21
商品详情

上海长园维安coolmos管WML11N65C2 替代  新洁能NCE


NCE65R540  NCE65R540F  NCE65R540I  NCE65R540K  NCE65R540D


长园微安一家国内上市公司,拥有英飞凌的技术,散热好,内阻低,温升好,性价比高的一


款国内最具影响力的MOS原厂  


陈小姐:15889542734

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尹先生:TEL:0571-83722483  QQ:2355819029(深圳办)


黎先生:TEL:0755-28197007  QQ:2355819027(深圳办)


FAX:0755-28199449(深圳办)


地址:深圳市福田区中航路国利大厦A2706


1.通态阻抗小,通态损耗小。

由于SJ-MOSRdson远远低于VDMOS,在系统电源类产品中SJ-MOS的导通损耗必然较之VDMOS要减少的多。其大大提高了系统产品上面的单体MOSFET的导通损耗,提高了系统产品的效率,SJ-MOS的这个优点在大功率、大电流类的电源产品产品上,优势表现的尤为突出。


同等功率规格下封装小,有利于功率密度的提高。

首先,同等电流以及电压规格条件下,SJ-MOS的晶源面积要小于VDMOS工艺的晶源面积,这样作为MOS的厂家,对于同一规格的产品,可以封装出来体积相对较小的产品,有利于电源系统功率密度的提高。

其次,由于SJ-MOS的导通损耗的降低从而降低了电源类产品的损耗,因为这些损耗都是以热量的形式散发出去,我们在实际中往往会增加散热器来降低MOS单体的温升,使其保证在合适的温度范围内。由于SJ-MOS可以有效的减少发热量,减小了散热器的体积,对于一些功率稍低的电源,甚至使用SJ-MOS后可以将散热器彻底拿掉。有效的提高了系统电源类产品的功率密度。


栅电荷小,对电路的驱动能力要求降低。

传统VDMOS的栅电荷相对较大,我们在实际应用中经常会遇到由于IC的驱动能力不足造成的温升问题,部分产品在电路设计中为了增加IC的驱动能力,确保MOSFET的快速导通,我们不得不增加推挽或其它类型的驱动电路,从而增加了电路的复杂性。SJ-MOS的栅电容相对比较小,这样就可以降低其对驱动能力的要求,提高了系统产品的可靠性。


2.节电容小,开关速度加快,开关损耗小。

由于SJ-MOS结构的改变,其输出的节电容也有较大的降低,从而降低了其导通及关断过程中的损耗。同时由于SJ-MOS栅电容也有了响应的减小,电容充电时间变短,大大的提高了SJ-MOS的开关速度。对于频率固定的电源来说,可以有效的降低其开通及关断损耗。提高整个电源系统的效率。这一点尤其在频率相对较高的电源上,效果更加明显



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