快速发布采购 管理采购信息

MOSFET参考:ZXMS6002GQ

时间:2019-1-26, 来源:互联网, 文章类别:元器件知识库

ZXMS6002GQ MOSFET - 制造商的描述。数据表。关键参数和特征。模拟搜索。目录

设备名称:ZXMS6002GQ

标记:ZXMS6002

晶体管类型:MOSFET

极性:N

最大功耗(Pd):2.5 W.

允许的最大漏源电压(Uds):60 V.

包含阈值电压Ugs(th):2.1V


最大允许直流消耗(Id):1.6 A.

最高通道温度(Tj):150°C

耐漏极 - 源极开路晶体管(Rds):0.5欧姆

外壳类型:SOT-223

ZXMS6002GQ的模拟(替换)


ZXMS6002GQ 60V N-CHANNEL自保护增强型®带状态指示的INTELLIFET MOSFET产品概述特性和优势连续漏极源电压VDS =60V状态引脚(模拟状态指示)导通电阻500mΩ•逻辑电平输入额定负载电流(VIN = 5V)1.4A带自动重启的短路保护钳位E.


技术文章分类
相关技术文章